RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Vergleichen Sie
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Gesamtnote
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gesamtnote
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3,071.4
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
70
Rund um -159% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
70
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,372.7
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3,071.4
14.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
3692
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link