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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
比較する
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
総合得点
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
総合得点
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
17.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
3,071.4
14.5
テスト平均値
考慮すべき理由
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
70
周辺 -159% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
6400
周辺 4 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
70
27
読み出し速度、GB/s
4,372.7
17.4
書き込み速度、GB/秒
3,071.4
14.5
メモリ帯域幅、mbps
6400
25600
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
668
3692
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
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Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
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