RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Vergleichen Sie
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Gesamtnote
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
54
Rund um -54% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
1,781.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,269.3
10.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,781.8
8.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
618
1998
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link