Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Gesamtnote
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Gesamtnote
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Unterschiede

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    28 left arrow 40
    Rund um -43% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    18.1 left arrow 12.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    15.6 left arrow 8.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 12800
    Rund um 1.66 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    40 left arrow 28
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.3 left arrow 18.1
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.9 left arrow 15.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1789 left arrow 3693
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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