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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
40
Autour de -43% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
3693
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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