RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
40
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3693
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link