RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2756
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link