RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Vergleichen Sie
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Gesamtnote
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
54
Rund um -125% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
1,781.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,269.3
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,781.8
12.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
618
3257
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link