RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
60
63
Rund um -5% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
60
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
12.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
2554
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link