RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
63
Rund um -97% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.3
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
16.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
3726
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link