RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Confronto
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Punteggio complessivo
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
63
Intorno -97% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.3
1,447.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
32
Velocità di lettura, GB/s
3,231.0
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,447.3
16.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
478
3726
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link