RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
21.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
63
Rund um -125% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.0
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
21.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
16.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
3739
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ME68FAF1600 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link