RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
63
Rund um -97% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
12.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
3103
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link