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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
63
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.5
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
32
读取速度,GB/s
3,231.0
17.5
写入速度,GB/s
1,447.3
12.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3103
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
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