RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
63
Rund um -163% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.2
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
18.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
3990
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link