RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
63
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.2
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
18.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3990
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link