RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
32
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3249
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link