RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3249
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link