RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
27
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.6
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
19.6
Скорость записи, Гб/сек
8.4
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3879
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link