RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
44
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2022
2971
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kingston KHX16 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link