RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
49
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2936
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link