RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
62
Wokół strony -226% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
3905
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link