RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
65
Wokół strony -183% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,711.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,018.7
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,711.1
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
2960
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link