RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
65
Wokół strony -183% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,711.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,018.7
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,711.1
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
2960
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link