RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
51
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
22
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3392
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link