RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
96
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
1897
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link