RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
32
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
1897
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
INTENSO 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link