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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Comparez
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
32
Autour de 9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
16
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
32
Vitesse de lecture, GB/s
16.9
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2601
1897
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Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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