RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Comparez
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Note globale
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Note globale
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
41
Autour de 32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.4
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.6
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
41
Vitesse de lecture, GB/s
9.4
7.7
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1453
1855
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Comparaison des RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link