RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2072
3693
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link