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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Confronto
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
46
Intorno -64% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
12.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.6
7.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
28
Velocità di lettura, GB/s
12.2
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.9
15.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2072
3693
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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