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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
46
Rund um -64% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.6
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
15.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2072
3693
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
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