RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
71
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
39
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2725
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link