RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
71
Rund um -82% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
11.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
2725
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link