RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
50
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2581
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link