takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB

Gesamtnote
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Gesamtnote
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB

Unterschiede

  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 13.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    36 left arrow 50
    Rund um -39% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.1 left arrow 1,457.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 6400
    Rund um 2.66 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    50 left arrow 36
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,757.3 left arrow 13.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,457.4 left arrow 10.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    557 left arrow 2581
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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