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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
50
Intorno -39% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
1,457.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
36
Velocità di lettura, GB/s
3,757.3
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,457.4
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
557
2581
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Jinyu 16GB
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