RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
50
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
13.9
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2581
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link