RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
50
Por volta de -39% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
1,457.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
36
Velocidade de leitura, GB/s
3,757.3
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,457.4
10.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
557
2581
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparações de RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5469-035.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link