RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
33
Por volta de 15% menor latência
Razões a considerar
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
33
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
11.9
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3224
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link