RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
33
Por volta de 15% menor latência
Razões a considerar
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
33
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
11.9
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3224
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link