RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Comparar
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,072.7
14.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
75
Por volta de -295% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
19
Velocidade de leitura, GB/s
2,730.3
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,072.7
14.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
3626
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparações de RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link