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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Comparez
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Note globale
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,072.7
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
75
Autour de -295% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
19
Vitesse de lecture, GB/s
2,730.3
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,072.7
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
3626
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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