RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Confronto
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
36
Intorno 25% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
36
Velocità di lettura, GB/s
16.7
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
17000
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2756
2581
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link