RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
36
En 25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
36
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
2581
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link