RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
65
Por volta de -183% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
1,711.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
23
Velocidade de leitura, GB/s
4,018.7
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,711.1
12.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
513
2960
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparações de RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link