RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
47
63
Rund um -34% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
47
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
11.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
7.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
2227
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link