RAM-Vergleich STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Gesamtnote

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

3 17.4

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

28 63

Rund um -125% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

14.5 1,447.3

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

23400 5300

Rund um 4.42 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 667 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

478 3419

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns