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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
63
Rund um -125% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
5300
Rund um 4.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
14.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
23400
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
3419
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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