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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
63
Por volta de -125% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
5300
Por volta de 4.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
14.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
23400
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
3419
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
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Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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