RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
59
63
Rund um -7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.1
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
59
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
9.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
7.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
2025
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link