RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
63
Rund um -97% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
11.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
9.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
2386
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link