RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
63
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2386
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link